8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6V10010NR4
PACKAGE DIMENSIONS
0.115
2.92
0.020
0.51
0.115
2.92
mm
inches
0.095
2.41
0.146
3.71
SOLDER FOOTPRINT
CASE 466--03
ISSUE D
PLD--1.5
PLASTIC
NOTES:
1. INTERPRET DIMENSIONS AND TOLERANCES
PER ASME Y14.5M, 1984.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH
3. RESIN BLEED/FLASH ALLOWABLE IN ZONE V, W,
AND X.
DIM MIN MAX MIN MAX
MILLIMETERS
INCHES
YY
A
0.255 0.265 6.48 6.73
B
0.225 0.235 5.72 5.97
C
0.065 0.072 1.65 1.83
D
0.130 0.150 3.30 3.81
E
0.021 0.026 0.53 0.66
F
0.026 0.044 0.66 1.12
G
0.050 0.070 1.27 1.78
H
0.045 0.063 1.14 1.60
K
0.273 0.285 6.93 7.24
L
0.245 0.255 6.22 6.48
N
0.230 0.240 5.84 6.10
P
0.000 0.008 0.00 0.20
Q
0.055 0.063 1.40 1.60
R
0.200 0.210 5.08 5.33
S
0.006 0.012 0.15 0.31
U
0.006 0.012 0.15 0.31
ZONE V
0.000 0.021 0.00 0.53
ZONE W
0.000 0.010 0.00 0.25
ZONE X
0.000 0.010 0.00 0.25
STYLE 1:
PIN 1. DRAIN
2. GATE
3. SOURCE
4. SOURCE
J
0.160 0.180 4.06 4.57
A
B
D
F
L
R
3
4
2
1
K
N
ZONE V
ZONE W
ZONE X
G
S
H
U
10 DRAFT_
P
C
E
0.35 (0.89) X 45 5__?
Q
VIEW Y--Y
4
2
1
3
相关PDF资料
MRF6V10250HSR5 MOSFET RF N-CH NI780S
MRF6V12500HR5 FET RF N-CH 1.03GHZ 100V NI-780H
MRF6V14300HSR5 MOSFET RF N-CH 50V NI780S
MRF6V2010GNR5 MOSFET RF N-CH 10W TO-270-2
MRF6V2150NBR5 MOSFET RF N-CH 50V TO272-4
MRF6V2300NR5 MOSFET RF N-CH 300W TO-270-4
MRF6V3090NR5 FET RF N-CH 860MHZ 50V TO270-4
MRF6V4300NR5 MOSFET RF N-CH 300W TO-270-4
相关代理商/技术参数
MRF6V10010NR4-CUT TAPE 制造商:Freescale 功能描述:MRF6V10010N Series 1090 MHz 10 W 50 V Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET
MRF6V10010NT1 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:VHV6 10W PULSE PLD1.5 - Tape and Reel
MRF6V10250HSR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 250W AVIONIC NI780S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6V10250HSR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 250W AVIONIC NI780S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6V12250HR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 250W 50V NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6V12250HR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 250W 50V NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6V12250HSR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 250W 50V NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6V12250HSR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 250W 50V NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray